Name: IQDH45N04LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6ATMA1TR-ND
Price: 23.111 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IQDH45N04LM6ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IQDH45N04LM6ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IQDH45N04LM6ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IQDH45N04LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IQDH45N04LM6ATMA1
Descriere	TRENCH <= 40V
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSON-8-9
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IQDH45N04LM6ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	60A (Ta), 637A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	0,45mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,3V la 1,449mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	12000 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSON-8-9
Pachet/cutie	8-PowerTDFN