Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 23.5829 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IQDH29NE2LM5SCATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Descriere	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montare pe suprafață PG-WHSON-8-U02
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	25 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	0,29mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 1,448mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	17000 pF @ 12 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-WHSON-8-U02
Pachet/cutie	8-PowerWDFN