Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 25.1196 RON
Availability: OutOfStock

Canal-N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montare pe suprafață PG-WHSON-8-U02

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IQDH29NE2LM5SCATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Descriere	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montare pe suprafață PG-WHSON-8-U02
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 110 nC @ 4.5 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±16V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 17000 pF @ 12 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 25 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-WHSON-8-U02
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 0,29mOhm la 50A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2V la 1,448mA