Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 31.1212 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPT039N15N5ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPT039N15N5ATMA1
Descriere	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPT039N15N5ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	150 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	21A (Ta), 190A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	8V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3,9mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,6V la 257µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	7700 pF @ 75 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,8W (Ta), 319W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HSOF-8
Pachet/cutie	8-PowerSFN