IPN80R900P7ATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


Infineon Technologies
În stoc: 878
Preț unitar : 8,47000 lei
Fișă de date
Canal-N 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Montare pe suprafață PG-SOT223
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Montare pe suprafață PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R900P7ATMA1

Numărul produsului DigiKey
IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Numărul produsului producătorului
IPN80R900P7ATMA1
Descriere
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Montare pe suprafață PG-SOT223
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPN80R900P7ATMA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
900mOhm la 2,2A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 110µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
350 pF @ 500 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
7W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.