Name: IPD80R900P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R900P7ATMA1TR-ND
Price: 9.8615 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD80R900P7ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPD80R900P7ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPD80R900P7ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPD80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD80R900P7ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Termen de livrare standard al producătorului	31 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD80R900P7ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 15 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie CoolMOS™ P7	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 350 pF @ 500 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 45W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 800 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 6A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO252-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 900mOhm la 2,2A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 110µA	Număr produs de bază IPD80R900