Name: IPDQ65R008CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R008CM8XTMA1TR-ND
Price: 121.7623 RON
Availability: InStock

Nou la DigiKey

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPDQ65R008CM8XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPDQ65R008CM8XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPDQ65R008CM8XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPDQ65R008CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPDQ65R008CM8XTMA1
Descriere	IPDQ65R008CM8XTMA1
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 270A (Tc) 1,249kW (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPDQ65R008CM8XTMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	270A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	8 毫欧 @ 125A，10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,7V la 3,24mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	375 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	18004 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,249kW (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HDSOP-22
Pachet/cutie	Modul 22-PowerBSOP