IPD85P04P407ATMA1 Infineon Technologies | FET-uri, MOSFET-uri individuale

IPD85P04P407ATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

Infineon Technologies

În stoc: 7.882

Preț unitar : 9,67000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD85P04P407ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPD85P04P407ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPD85P04P407ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPD85P04P407ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD85P04P407ATMA1
Descriere	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-313
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 89 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 6085 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 88W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 85A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO252-3-313
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 7,3mOhm la 85A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 150µA	Număr produs de bază IPD85P04