Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 11.4829 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD60N10S4L12ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD60N10S4L12ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-313
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD60N10S4L12ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 49 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±16V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 3170 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 94W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 60A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO252-3-313
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 12mOhm la 60A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 2,1V la 46µA	Număr produs de bază IPD60N10