IPB65R150CFDATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric


Infineon Technologies
În stoc: 1.047
Preț unitar : 18,87000 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 800
Preț unitar : 24,79000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 1.451
Preț unitar : 36,51000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 7,65618 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 22,12000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 9,48948 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 589
Preț unitar : 21,33000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 11,68358 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 1.416
Preț unitar : 29,01000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 820
Preț unitar : 18,69000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 688
Preț unitar : 31,33000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 915
Preț unitar : 11,50000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 8,03699 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.060
Preț unitar : 21,02000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R150CFDATMA1

Numărul produsului DigiKey
IPB65R150CFDATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
IPB65R150CFDATMA1
Descriere
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPB65R150CFDATMA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
150mOhm la 9,3A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 900µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2340 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
195,3W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.