IPB65R150CFDATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric


Infineon Technologies
În stoc: 1.047
Preț unitar : 23,28000 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 800
Preț unitar : 24,49000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 651
Preț unitar : 36,07000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 9,27283 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 21,85000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 11,54931 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 44
Preț unitar : 22,54000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 14,21967 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 1.416
Preț unitar : 30,69000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 819
Preț unitar : 19,77000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 688
Preț unitar : 33,12000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.905
Preț unitar : 12,14000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 9,78154 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.060
Preț unitar : 22,20000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R150CFDATMA1

Numărul produsului DigiKey
IPB65R150CFDATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
IPB65R150CFDATMA1
Descriere
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPB65R150CFDATMA1 Modele
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Categorie
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
86 nC @ 10 V
Prod.
Vgs (Max)
±20V
Serie
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2340 pF @ 100 V
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Caracteristică FET
Stare piesă
Inactual
Disipare putere (Max)
195,3W (Tc)
Tip FET
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie
Grad
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Calificare
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tip montare
Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
150mOhm la 9,3A, 10V
Pachet/cutie
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 900µA
Număr produs de bază
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
Produse înlocuitoare (15)
Număr de catalogProducător CANTITATE DISPONIBILĂNumărul produsului DigiKey Preț unitar Tip produs înlocuitor
IPB65R150CFDATMA2Infineon Technologies1.047448-IPB65R150CFDATMA2CT-ND23,28000 leiEchivalente parametric
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.800785-1539-1-ND24,49000 leiSimilar
FCB110N65Fonsemi651FCB110N65FCT-ND36,07000 leiSimilar
SIHB22N60AE-GE3Vishay Siliconix0SIHB22N60AE-GE3-ND9,27283 leiSimilar
SIHB22N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHB22N60E-GE3-ND21,85000 leiSimilar
Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.