Direct
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar



SIHB22N65E-GE3 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | SIHB22N65E-GE3-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | SIHB22N65E-GE3 |
Descriere | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
Termen de livrare standard al producătorului | 22 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK) |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | SIHB22N65E-GE3 Modele |
Categorie | Vgs (Max) ±30V |
Prod. | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2415 pF @ 100 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Activ | Disipare putere (Max) 227W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Montare pe suprafață |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V | Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK) |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 180mOhm la 11A, 10V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA | Număr produs de bază |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 110 nC @ 10 V |
| Număr de catalog | Producător | CANTITATE DISPONIBILĂ | Numărul produsului DigiKey | Preț unitar | Tip produs înlocuitor |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1.795 | FCB20N60FTMCT-ND | 30,43000 lei | Direct |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | 22,37000 lei | Similar |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1.092 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | 21,68000 lei | Similar |
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | 7.460 | IPB60R190C6ATMA1CT-ND | 20,07000 lei | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4.207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 33,90000 lei | Similar |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1.000 | 11,54931 lei | 11.549,31 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 11,54931 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 13,97467 lei |







