Name: SIHB22N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB22N65E-GE3-ND
Price: 11.48227 RON
Availability: OutOfStock

SIHB22N65E-GE3
Numărul produsului DigiKey	SIHB22N65E-GE3-ND
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SIHB22N65E-GE3
Descriere	MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SIHB22N65E-GE3 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	22A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	180mOhm la 11A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2415 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	227W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	SIHB22

Preț unitar fără TVA:	9,48948 lei
Preț unitar cu TVA:	11,48227 lei

SIHB22N65E-GE3