Name: IPB65R110CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDAATMA1TR-ND
Price: 34.243 RON
Availability: InStock

IPB65R110CFDAATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB65R110CFDAATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB65R110CFDAATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	31,2A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	110mOhm la 12,7A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 1,3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3240 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	277,8W (Tc)
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB65R110

Preț unitar fără TVA:	28,30000 lei
Preț unitar cu TVA:	34,24300 lei

IPB65R110CFDAATMA1