Name: IPB081N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB081N06L3GATMA1TR-ND
Price: 11.737 RON
Availability: InStock

IPB081N06L3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB081N06L3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB081N06L3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB081N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB081N06L3GATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB081N06L3GATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	50A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	8,1mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,2V la 34µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4900 pF @ 30 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	79W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB081

Preț unitar fără TVA:	9,70000 lei
Preț unitar cu TVA:	11,73700 lei

IPB081N06L3GATMA1