IPB034N03LGATMA1 Infineon Technologies | FET-uri, MOSFET-uri individuale

IPB034N03LGATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 5

Preț unitar : 10,23000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 163

Preț unitar : 9,88000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB034N03LGATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB034N03LGATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB034N03LGATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 80A (Tc) 94W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 51 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5300 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR)	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 94W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 80A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 3,4mOhm la 30A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 2,2V la 250µA	Număr produs de bază IPB034