IPA50R299CPXKSA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Direct


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 2,67000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 367
Preț unitar : 2,32000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 898
Preț unitar : 4,11000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 970
Preț unitar : 4,68000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 97
Preț unitar : 3,10000 lei
Fișă de date
Canal-N 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-31
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPA50R299CPXKSA1

Numărul produsului DigiKey
IPA50R299CPXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IPA50R299CPXKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-31
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
550 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
299mOhm la 6,6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1190 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
104W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-31
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Stoc Marketplace: 31.927 Vedeți acum
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.

Other Suppliers on DigiKey

31.927În stoc
Livrat de la Rochester Electronics, LLC