Canal-N 650 V 38A (Tc) 153W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3-40
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMW65R050M2HXKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IMW65R050M2HXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IMW65R050M2HXKSA1
Descriere
SILICON CARBIDE MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului
61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 38A (Tc) 153W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3-40
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Categorie
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
22 nC @ 18 V
Prod.
Vgs (Max)
+23V, -7V
Serie
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
790 pF @ 400 V
Ambalaj
Tub
Caracteristică FET
Stare piesă
Activ
Disipare putere (Max)
153W (Tc)
Tip FET
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie
Grad
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Calificare
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tip montare
Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V, 20V
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-40
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
46mOhm la 18,2A, 20V
Pachet/cutie
Vgs(th) (Max) la Id
5,6V la 3,7mA
Număr produs de bază
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 394
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
144,82000 lei44,82 lei
3026,10400 lei783,12 lei
12021,98967 lei2.638,76 lei
51018,97531 lei9.677,41 lei
1.02017,87610 lei18.233,62 lei
2.01016,97064 lei34.110,99 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:44,82000 lei
Preț unitar cu TVA:54,23220 lei