
IMW65R040M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 448-IMW65R040M2HXKSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | IMW65R040M2HXKSA1 |
Descriere | SILICON CARBIDE MOSFET |
Termen de livrare standard al producătorului | 61 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 650 V 46A (Tc) 172W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3-40 |
Fișă de date | Fișă de date |
Categorie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 28 nC @ 18 V |
Prod. | Vgs (Max) +23V, -7V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 997 pF @ 400 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Activ | Disipare putere (Max) 172W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 20V | Pachet dispozitiv furnizor PG-TO247-3-40 |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 36mOhm la 22,9A, 20V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 5,6V la 4,6mA | Număr produs de bază |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 48,08000 lei | 48,08 lei |
| 30 | 28,16600 lei | 844,98 lei |
| 120 | 23,79008 lei | 2.854,81 lei |
| 510 | 20,58496 lei | 10.498,33 lei |
| 1.020 | 19,41608 lei | 19.804,40 lei |
| 2.010 | 18,45340 lei | 37.091,33 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 48,08000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 58,17680 lei |





