IMW65R039M1HXKSA1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMW65R039M1HXKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IMW65R039M1HXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IMW65R039M1HXKSA1
Descriere
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Termen de livrare standard al producătorului
23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 46A (Tc) 176W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3-41
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IMW65R039M1HXKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
50mOhm la 25A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
5,7V la 7,5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+20V, -2V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1393 pF @ 400 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
176W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-41
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 119
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
141,38000 lei41,38 lei
3024,43767 lei733,13 lei
12020,71800 lei2.486,16 lei
51019,49741 lei9.943,68 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:41,38000 lei
Preț unitar cu TVA:50,06980 lei