Name: IMTA65R050M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R050M2HXTMA1TR-ND
Price: 34.7633 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMTA65R050M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMTA65R050M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMTA65R050M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMTA65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMTA65R050M2HXTMA1
Descriere	SILICON CARBIDE MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 43A (Tc) 197W (Tc) – –
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMTA65R050M2HXTMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	43A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	46mOhm la 18,2A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id	5,6V la 3,7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	790 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	197W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	–
Pachet dispozitiv furnizor	–
Pachet/cutie	–