Name: IMDQ65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND
Price: 130.7163 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMDQ65R010M2HXUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMDQ65R010M2HXUMA1
Descriere	IMDQ65R010M2HXUMA1
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 154A (Tc) 651W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMDQ65R010M2HXUMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 113 nC @ 18 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) Ieșire +23V, Ieșire -10V
Serie CoolSiC™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4002 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 651W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 154A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 20V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HDSOP-22-1
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 9,1mOhm la 92,1A, 20V	Pachet/cutie Modul 22-PowerBSOP
Vgs(th) (Max) la Id 5,6V la 18,7mA