Name: IMCQ120R004M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R004M2HXUMA1TR-ND
Price: 308.7315 RON
Availability: OutOfStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMCQ120R004M2HXUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMCQ120R004M2HXUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMCQ120R004M2HXUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMCQ120R004M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMCQ120R004M2HXUMA1
Descriere	IMCQ120R004M2HXUMA1
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 1,5kW (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22-3
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	403A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3.7mOhm @ 185.2A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5.1V @ 58.3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	348 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	13000 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,5kW (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HDSOP-22-3
Pachet/cutie	Modul 22-PowerBSOP