Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 37.51 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMBF170R650M1XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMBF170R650M1XTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Termen de livrare standard al producătorului	49 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1700 V 7,4A (Tc) 88W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-13
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMBF170R650M1XTMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 8 nC @ 12 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) +20V, -10V
Serie CoolSiC™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 422 pF @ 1000 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 88W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1700 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 7,4A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 12V, 15V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-7-13
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 650mOhm la 1,5A, Ieșire 15V	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Vgs(th) (Max) la Id 5,7V la 1,7mA	Număr produs de bază IMBF170