Name: IMBF170R450M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R450M1XTMA1TR-ND
Price: 35.9975 RON
Availability: InStock

IMBF170R450M1XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMBF170R450M1XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMBF170R450M1XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMBF170R450M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMBF170R450M1XTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Termen de livrare standard al producătorului	45 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1700 V 9,8A (Tc) 107W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-13
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMBF170R450M1XTMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1700 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	9,8A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	12V, 15V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	450mOhm la 2A, Ieșire 15V
Vgs(th) (Max) la Id	5,7V la 2,5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	11 nC @ 12 V
Vgs (Max)	+20V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	610 pF @ 1000 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	107W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7-13
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	IMBF170

Preț unitar fără TVA:	29,75000 lei
Preț unitar cu TVA:	35,99750 lei

IMBF170R450M1XTMA1