Name: BSZ180P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 5.8201 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BSZ180P03NS3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-BSZ180P03NS3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-BSZ180P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSZ180P03NS3GATMA1
Descriere	MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 9A (Ta), 39,6A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSZ180P03NS3GATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 30 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±25V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2220 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,1W (Ta), 40W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 9A (Ta), 39,6A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TSDSON-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 18mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,1V la 48µA	Număr produs de bază BSZ180