Name: BSZ120P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 5.5418 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BSZ120P03NS3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSZ120P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSZ120P03NS3GATMA1
Descriere	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Termen de livrare standard al producătorului	14 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 52W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSZ120P03NS3GATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	11A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	12mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,1V la 73µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3360 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,1W (Ta), 52W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSDSON-8
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	BSZ120