Name: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND
Price: 14.9193 RON
Availability: InStock

BSZ014NE2LS5IFATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSZ014NE2LS5IFATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 25 V 31A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8-FL
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSZ014NE2LS5IFATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	25 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	31A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,45mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2300 pF @ 12 V
Caracteristică FET	Diodă Schottky (corp)
Disipare putere (Max)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSDSON-8-FL
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	BSZ014

Preț unitar fără TVA:	12,33000 lei
Preț unitar cu TVA:	14,91930 lei

BSZ014NE2LS5IFATMA1