Name: BSC190N15NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC190N15NS3GATMA1TR-ND
Price: 18.4162 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BSC190N15NS3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSC190N15NS3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSC190N15NS3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSC190N15NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSC190N15NS3GATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 150 V 50A (Tc) 125W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSC190N15NS3GATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 31 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2420 pF @ 75 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 125W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 150 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 50A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 8V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TDSON-8-1
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 19mOhm la 50A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 90µA	Număr produs de bază BSC190

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 15.777

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®