Name: BSC0902NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0902NSIATMA1TR-ND
Price: 6.4251 RON
Availability: InStock

BSC0902NSIATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSC0902NSIATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSC0902NSIATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSC0902NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSC0902NSIATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 48W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-6
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSC0902NSIATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,8mOhm la 30A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1500 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-6
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	BSC0902

Preț unitar fără TVA:	5,31000 lei
Preț unitar cu TVA:	6,42510 lei

BSC0902NSIATMA1