Name: BSC057N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC057N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 13.915 RON
Availability: InStock

BSC057N08NS3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSC057N08NS3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSC057N08NS3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSC057N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSC057N08NS3GATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Termen de livrare standard al producătorului	25 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 114W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-5
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSC057N08NS3GATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	16A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	5,7mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 73µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3900 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 114W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-5
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	BSC057

Preț unitar fără TVA:	11,50000 lei
Preț unitar cu TVA:	13,91500 lei

BSC057N08NS3GATMA1