Name: BSC0502NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0502NSIATMA1TR-ND
Price: 10.285 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BSC0502NSIATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSC0502NSIATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSC0502NSIATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSC0502NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSC0502NSIATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 26A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 43W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-6
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSC0502NSIATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 26 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1600 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta), 43W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 26A (Ta), 100A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TDSON-8-6
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,3mOhm la 30A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2V la 250µA	Număr produs de bază BSC0502