Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 11.1199 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DMTH10H017LPDQ-13
Numărul produsului DigiKey	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - Bandă și mosor (TR) 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului	DMTH10H017LPDQ-13
Descriere	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Termen de livrare standard al producătorului	40 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 100V 13A (Ta), 59A (Tc) 1,5W (Ta), 93W (Tc) Montare pe suprafață PowerDI5060-8 (tipic E)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 28,6nC la 10V
Producător Diodes Incorporated	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1986pF la 50V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Putere - Max 1,5W (Ta), 93W (Tc)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Configurație Canal 2 N (dublu)	Calificare AEC-Q101
Caracteristică FET –	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 13A (Ta), 59A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor PowerDI5060-8 (tipic E)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 17,4mOhm la 17A, 10V	Număr produs de bază DMTH10
Vgs(th) (Max) la Id 3V la 250µA