AOT11S65L este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Direct


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 8,73997 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 2.299
Preț unitar : 16,94000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 990
Preț unitar : 15,05000 lei
Fișă de date

Similar


Rochester Electronics, LLC
În stoc: 28.833
Preț unitar : 7,41607 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 219
Preț unitar : 27,95000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 13,60000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 10,97000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 970
Preț unitar : 30,15000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 5,33658 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 11,01000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.322
Preț unitar : 22,12000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 817
Preț unitar : 13,78000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 598
Preț unitar : 14,22000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 34
Preț unitar : 20,23000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Orificiu străpuns TO-220
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

AOT11S65L

Numărul produsului DigiKey
785-1510-5-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
AOT11S65L
Descriere
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Orificiu străpuns TO-220
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
399mOhm la 5,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
646 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
198W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.