Vishay / Siliconix

MOSFET MaxSiC™

MOSFET-urile Vishay asigură performanțe mai mari și eficiență superioară pentru aplicații de mare putere

Imagine cu MOSFET-ul MaxSiC™ Vishay SiliconixMOSFET-urile MaxSiCTM cu carbură de siliciu (SiC) de la Vishay dispun de o tehnologie brevetată care combină un compromis eficient atât al rezistenței la pornire, cât și al performanței de comutare, oferind în același timp un dispozitiv robust cu o capacitate parazitară mică, timp de rezistență la scurtcircuit (SCWT) îmbunătățit, imunitate crescută la supra-încărcare și câmp electric competitiv al oxidului de poartă.

Aceste MOSFET-uri SiC oferă o cifră de merit competitivă pentru a răspunde cerințelor pieței de aplicații tot mai dezvoltate, cum ar fi invertoarele pentru motoare industriale, sistemele de conversie și stocare a energiei fotovoltaice (PV), încărcătoarele de la bord, stațiile de încărcare, serverele (centrele de date) și sursele de alimentare neîntreruptibile (UPS).

Caracteristici
  • Viteză de comutare rapidă
  • 3 μs timp de rezistență la scurtcircuit
  • 1.200 V tensiune sursă-drenă
  • 139 W putere disipată maximă (TC=+25 °C)
  • 29 A curent de drenă continuu (TC=+25 °C)
  • Intervalul temperaturii de funcționare a joncțiunii de la -55 °C la +150 °C
  • Fără plumb și fără halogen
  • Disponibil în capsulă TO-247 3L
  • Conformitate RoHS
Aplicații
  • Încărcătoare
  • Acționări auxiliare ale motoarelor
  • Convertoare c.c./c.c.

MaxSiC MOSFETs

ImagineManufacturer Part NumberDescriereAvailable QuantityPrețVedeți detalii
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$15.42Vedeți detalii
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$18.41Vedeți detalii
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET494 - Immediate$44.38Vedeți detalii
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET578 - Immediate$47.35Vedeți detalii
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$57.57Vedeți detalii
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$59.26Vedeți detalii
Published: 2024-09-03

Related Articles and Blogs

Reduce Losses in High-Voltage Switched-Mode Power Systems with Silicon Carbide MOSFETs Designers can take advantage of silicon carbide (SiC) technology’s core attributes and recent enhancements to increase efficiency and power density.