MXP120A045FW-GE3 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

MXP120A045SW-GE3
Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 25,04017 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 1200 V 49A (Tc) 227W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3L
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

MXP120A045FW-GE3

Numărul produsului DigiKey
742-MXP120A045FW-GE3-ND
Producător
Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului
MXP120A045FW-GE3
Descriere
SILICON CARBIDE MOSFET
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 49A (Tc) 227W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3L
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Vishay Siliconix
Serie
MaxSiC™
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
49A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
Ieșire 18V, Ieșire 20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
56mOhm la 20A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id
2,38V la 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
75.6 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1958 pF @ 800 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
227W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3L
Pachet/cutie
TO-247-3
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.