Name: IPB017N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB017N10N5LFATMA1TR-ND
Price: 38.4538 RON
Availability: InStock

IPB017N10N5LFATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB017N10N5LFATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB017N10N5LFATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB017N10N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB017N10N5LFATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Termen de livrare standard al producătorului	43 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 180A (Tc) 313W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB017N10N5LFATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	180A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,7mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,1V la 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	840 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	313W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7
Pachet/cutie	TO-263-7, D2PAK (6 conductoare + lamelă)
Număr produs de bază	IPB017

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
1.000	12,26853 lei	12.268,53 lei
2.000	12,09086 lei	24.181,72 lei

Preț unitar fără TVA:	31,78000 lei
Preț unitar cu TVA:	38,45380 lei

IPB017N10N5LFATMA1