VideoLibrary

How to GaN - 04: GaN Design Basics – Gate Drive

How to drive a GaN transistor to achieve maximum performance.

6/12/2020 7:56:08 PM

Part List

ImagineManufacturer Part NumberDescriereAvailable QuantityPrețVedeți detalii
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE17457 - Immediate$12.31Vedeți detalii
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE10749 - Immediate$14.83Vedeți detalii
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA459 - Immediate$11.88Vedeți detalii
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEEPC2111MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE15263 - Immediate$20.11Vedeți detalii
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIEEPC2101MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE521 - Immediate$49.90Vedeți detalii
MOSFET 2N-CH 60V 23A DIEEPC2102MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE1276 - Immediate$47.99Vedeți detalii
MOSFET 2N-CH 80V 28A DIEEPC2103MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE8040 - Immediate$49.90Vedeți detalii
MOSFET 2N-CH 100V 23A DIEEPC2104MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE1880 - Immediate$47.99Vedeți detalii

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

Publish Date: 2025-01-29

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

Publish Date: 2023-08-31

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

Publish Date: 2023-08-31

Related Product Highlight

EPC2111 30 V eGaN® Transistor Half-Bridge EPC's EPC2111 eGaN® half-bridge enables 12 V to 1.8 V system efficiency over 85% at 5 MHz at 14 A output reducing costs to end user’s power conversion systems.
EPC2106 Half Bridge EPC's EPC2106 half bridge has high efficiency power conversion in a small footprint.
GaN ICs for Wireless Power EPC's GaN Semiconductors are designed specifically for resonant wireless power transfer applications, enabling rapid design of highly efficient end-use systems.

Related Articles and Blogs

Semiconductorii cu bandă interzisă largă asigură eficiența în centrele de date Pentru că centrele de date au cerințe energetice uriașe, sunt necesare soluții de alimentare care pot reduce pierderile de energie, pot crește eficiența și pot îmbunătăți controlul termic.
Semiconductorii cu bandă interzisă largă remodelează lumea transporturilor Întregul sector al transporturilor trece printr-o transformare radicală, cu soluții pentru mașini electrice și hibride și pentru un transport în comun mai curat.
Power GaN Products and Resources Available at DigiKey GaN is making inroads into power design. This blog provides some background and some relevant GaN products and resources now available at DigiKey.
Termene și condiții Notificare privind confidențialitatea Setări pentru modulele cookie
Copyright © 1995-2026, DigiKey. Toate drepturile rezervate.
Membru ECIA/CEDA/ECSN
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
Membru ECIA/CEDA/ECSN