Canal-N 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SUP60030E-GE3

Numărul produsului DigiKey
SUP60030E-GE3-ND
Producător
Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului
SUP60030E-GE3
Descriere
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Termen de livrare standard al producătorului
55 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Orificiu străpuns TO-220AB
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SUP60030E-GE3 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Vrac
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
120A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
7,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
3,4mOhm la 30A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
7910 pF @ 40 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
375W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet/cutie
TO-220-3
Număr produs de bază
SUP60030
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 373
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
120,67000 lei20,67 lei
5010,67560 lei533,78 lei
1009,70930 lei970,93 lei
5008,01698 lei4.008,49 lei
1.0007,47341 lei7.473,41 lei
2.0007,41058 lei14.821,16 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:20,67000 lei
Preț unitar cu TVA:25,01070 lei