Name: SUD09P10-195-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD09P10-195-GE3TR-ND
Price: 7.2237 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SUD09P10-195-GE3
Numărul produsului DigiKey	SUD09P10-195-GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SUD09P10-195-GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SUD09P10-195-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SUD09P10-195-GE3
Descriere	MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 100 V 8,8A (Tc) 2,5W (Ta), 32,1W (Tc) Montare pe suprafață TO-252AA
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	8,8A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	195mOhm la 3,6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	34.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1055 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 32,1W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-252AA
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	SUD09