Name: SQS660CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQS660CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 7.502 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQS660CENW-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	742-SQS660CENW-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SQS660CENW-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SQS660CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQS660CENW-T1_GE3
Descriere	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Termen de livrare standard al producătorului	39 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 18A (Tc) 62,5W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® 1212-8W
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 26 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1950 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 62,5W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 18A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® 1212-8W
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 11,2mOhm la 7A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 250µA

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 1.976

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)