Name: SQM60N20-35_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM60N20-35_GE3TR-ND
Price: 25.8093 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQM60N20-35_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQM60N20-35_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQM60N20-35_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQM60N20-35_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQM60N20-35_GE3
Descriere	MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 60A (Tc) 375W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQM60N20-35_GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 135 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5850 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 375W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 200 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 60A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 35mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 250µA	Număr produs de bază SQM60