Name: SQJB68EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB68EP-T1_GE3TR-ND
Price: 7.9134 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJB68EP-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQJB68EP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQJB68EP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQJB68EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJB68EP-T1_GE3
Descriere	MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Termen de livrare standard al producătorului	32 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 100V 11A (Tc) 27W Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8 dual
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQJB68EP-T1_GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	11A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	92mOhm la 4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	8nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	280pF la 25V
Putere - Max	27W
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8 dual
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8 dual
Număr produs de bază	SQJB68