Name: SQJB02ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 9.1234 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJB02ELP-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SQJB02ELP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJB02ELP-T1_GE3
Descriere	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Termen de livrare standard al producătorului	37 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 40V 30A (Tc) 27W Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8 dual
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 32nC la 10V
Producător Vishay Siliconix	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1700pF la 20V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)	Putere - Max 27W
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Configurație Canal 2 N (dublu)	Calificare AEC-Q101
Caracteristică FET –	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8 dual
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 30A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8 dual
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 7,5mOhm la 6A, 10V	Număr produs de bază SQJB02
Vgs(th) (Max) la Id 2,2V la 250µA

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 38.901

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT)

Bandă și mosor (TR)

Pachet standard de la producător

Preț unitar fără TVA:	7,54000 lei
Preț unitar cu TVA:	9,12340 lei

SQJB02ELP-T1_GE3