Name: SQJ968EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ968EP-T1_GE3TR-ND
Price: 9.1234 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJ968EP-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJ968EP-T1_GE3
Descriere	MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 60V 23,5A (Tc) 42W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8 dual
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQJ968EP-T1_GE3 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 250µA
Producător Vishay Siliconix	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 18,5nC la 10V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 714pF la 30V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)	Putere - Max 42W (Tc)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TA)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Configurație Canal 2 N (dublu)	Calificare AEC-Q101
Caracteristică FET –	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8 dual
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 23,5A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8 dual
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 33,6mOhm la 4,8A, 10V	Număr produs de bază SQJ968

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 3.425

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT)

Bandă și mosor (TR)

Pachet standard de la producător

Preț unitar fără TVA:	7,54000 lei
Preț unitar cu TVA:	9,12340 lei

SQJ968EP-T1_GE3