Name: SQJ570EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ570EP-T1_GE3TR-ND
Price: 9.2323 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJ570EP-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJ570EP-T1_GE3
Descriere	MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Termen de livrare standard al producătorului	32 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 100V 15A (Tc), 9,5A (Tc) 27W Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8 dual
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQJ570EP-T1_GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal N și P
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	15A (Tc), 9,5A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	45mOhm la 6A, 10V, 146mOhm la 6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	20nC la 10V, 15nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	650pF la 25V, 600pF la 25V
Putere - Max	27W
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8 dual
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8 dual
Număr produs de bază	SQJ570