Name: SQJ560EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ560EP-T1_GE3TR-ND
Price: 10.7085 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJ560EP-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQJ560EP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQJ560EP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQJ560EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJ560EP-T1_GE3
Descriere	MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Termen de livrare standard al producătorului	32 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8 dual
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQJ560EP-T1_GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal N și P
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	30A (Tc), 18A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	12mOhm la 10A, 10V, 52,6mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	30nC la 10V, 45nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1650pF la 25V
Putere - Max	34W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8 dual
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8 dual
Număr produs de bază	SQJ560