Name: SQJ422EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ422EP-T1_BE3TR-ND
Price: 11.8701 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJ422EP-T1_BE3
Numărul produsului DigiKey	742-SQJ422EP-T1_BE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SQJ422EP-T1_BE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SQJ422EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJ422EP-T1_BE3
Descriere	MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	25 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 75A (Tc) 83W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQJ422EP-T1_BE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	75A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3,4mOhm la 18A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	5000 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	83W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SQJ422