Name: SQJ411EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ411EP-T1_GE3TR-ND
Price: 9.8615 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJ411EP-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQJ411EP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQJ411EP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQJ411EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJ411EP-T1_GE3
Descriere	MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 12 V 60A (Tc) 68W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	12 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	60A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	2,5V, 4,5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	5,8mOhm la 15A, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id	1,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	150 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	9100 pF @ 6 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	68W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PowerPAK® SO-8
Pachet/cutie	PowerPAK® SO-8
Număr produs de bază	SQJ411