
SQJ200EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | SQJ200EP-T1_GE3 |
Descriere | MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 |
Termen de livrare standard al producătorului | 20 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 20V 20A, 60A 27W, 48W Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8 dublu asimetric |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | SQJ200EP-T1_GE3 Modele |
Categorie | Vgs(th) (Max) la Id 2V la 250µA |
Producător Vishay Siliconix | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 18nC la 10V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 975pF la 10V |
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel® | Putere - Max 27W, 48W |
Stare piesă Activ | Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ) |
Tehnologie MOSFET (oxid metalic) | Grad Automobile |
Configurație Canal 2 N (dublu) | Calificare AEC-Q101 |
Caracteristică FET – | Tip montare Montare pe suprafață |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20V | Pachet/cutie PowerPAK® SO-8 dual |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 20A, 60A | Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8 dublu asimetric |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 8,8mOhm la 16A, 10V | Număr produs de bază |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 8,11000 lei | 8,11 lei |
| 10 | 5,14600 lei | 51,46 lei |
| 100 | 3,45070 lei | 345,07 lei |
| 500 | 2,72394 lei | 1.361,97 lei |
| 1.000 | 2,49020 lei | 2.490,20 lei |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 3.000 | 2,19334 lei | 6.580,02 lei |
| 6.000 | 2,04397 lei | 12.263,82 lei |
| 9.000 | 1,96790 lei | 17.711,10 lei |
| 15.000 | 1,88844 lei | 28.326,60 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 8,11000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 9,81310 lei |

