Name: SQJ147ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ147ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 8.5547 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQJ147ELP-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	742-SQJ147ELP-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 742-SQJ147ELP-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 742-SQJ147ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQJ147ELP-T1_GE3
Descriere	MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 40 V 90A (Tc) 183W (Tc) Montare pe suprafață PowerPAK® SO-8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Vishay Siliconix	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5500 pF @ 25 V
Serie TrenchFET®	Caracteristică FET –
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Disipare putere (Max) 183W (Tc)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tip FET Canal P	Grad Automobile
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Calificare AEC-Q101
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40 V	Tip montare Montare pe suprafață
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 90A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® SO-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 12,5mOhm la 10A, 10V	Pachet/cutie PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 250µA	Număr produs de bază SQJ147
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 120 nC @ 10 V