Name: SQ4483EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4483EY-T1_GE3TR-ND
Price: 10.8174 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQ4483EY-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQ4483EY-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQ4483EY-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQ4483EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQ4483EY-T1_GE3
Descriere	MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 30A (Tc) 7W (Tc) Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	30A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	8,5mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4500 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	7W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-SOIC
Pachet/cutie	8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Număr produs de bază	SQ4483