Name: SQ1470AEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND
Price: 4.5375 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SQ1470AEH-T1_GE3
Numărul produsului DigiKey	SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND - Bandă și mosor (TR) SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SQ1470AEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Vishay Siliconix
Numărul produsului producătorului	SQ1470AEH-T1_GE3
Descriere	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 1,7A (Tc) 3,3W (Tc) Montare pe suprafață SC-70-6
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SQ1470AEH-T1_GE3 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	1,7A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	2,5V, 4,5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	65mOhm la 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id	1,6V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	5.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	450 pF @ 15 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,3W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	SC-70-6
Pachet/cutie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Număr produs de bază	SQ1470